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下面将作进一步介绍，[5]前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成，EMS的原理和XMS不同，它采用了页帧方式，页帧是在1MB空间中一块64KB空间(通常在保留内存区内，但其物理存储器来自扩展存储器)。
[7]注：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。[7]第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。[7]注：T-电铁、W-微调、J-金属化、X-小型、S-独石、D-低压、M-密封。[8]数字表示如下：[9]符号瓷介云母有机电解1圆形非密封非密封箔式2管形非密封非密封箔式3叠片密封密封烧结粉液体4独石密封密封烧结粉液体5穿心/穿心/6支柱形///7///无极性8高压高压高压/9//特殊特殊第四部分：序。
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这样，这部分物理存储器就变成了扩展存储器，当然可以使用了，但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用，而把这部分物理存储器保留作为Shadow存储器，Shadow存储器可以占据的地址空间与对应的ROM是相同的。
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其驱动程序为HIMEM，SYS，[5]●EMS内存符合EMS规范管理的扩充内存区，其驱动程序为EMM386.EXE等，[5]其他类型SRAMSRAM(StaticRAM)意为静态随机存储器，SRAM数据不需要通过不断地刷新来保存。
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[6]2．按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器、电热电容器和空气介质电容器等。[6]3.按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。[6]4．按制造材料的不同可以分为：瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容，还有先进的聚丙烯电容等等。[6]5．高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。[6]6．低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。[6]滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。[6]8．调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。[6]9．低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容。
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[6]●分频：在分频电路中的电容器称为分频电容，在音箱的扬声器分频电路中，使用分频电容电路，以使高频扬声器工作在高频段，中频扬声器工作在中频段，低频扬声器工作在低频段。[6]●负载电容：是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外界电容。负载电容常用的标准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。负载电容可以根据具体情况作适当的调整，通过调整一般可以将谐振器的工作频率调到标称值。[6]型号编辑型号命名国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器），依次分别代表名称、材料、分类和序号。[7]部分：名称，用字母表示，电容器用C。[7]第二部分：材料，用字母表示。
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通常内存标签上贴的就是等效效率，[4]2)DDRSDRAM(DoubledataRateSDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)采用2.5V工作电压，内存数据位宽64位，DDRSDRAM(简称DDR内存)一个时钟脉冲传输两次数据。
内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。[12]2.检测10PF～001μF固定电容器：通过判断是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。[12]应注意的是：在测试操作时，是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两。
指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度，一般的参数值是2和3两种，数字越小，代表反应所需的时间越短，在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中。
